英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产物组合,帮力告竣更高效能和功率密度

　　英飞凌科技股份公司今天公告其CoolSiC1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业轨范封装产物。其采用成熟的62 mm器件半桥拓扑安排并基于新推出的加强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET本事。该封装使SiC不妨运用于250 kW以上的中等功率品级运用，而古板IGBT硅本事正在这一功率品级运用的的功率密度已达极限值开运电竞。比拟古板的62mm IGBT模块，其运用规模现已扩展至太阳能、供职器、储能商用电炉、电动汽车充电桩开运电竞、牵引、商用感到电磁炉和功率转换编造等开运电竞。

　　加强型M1H本事不妨明显拓宽栅极电压窗口开运电竞，假使正在高开闭频率下，不需任何局限商用电炉，也能确保栅极应对驱动器和组织惹起的感到电压尖峰的高牢靠性。其它，极低的开闭损耗和传输损耗能够最大限定地下降冷却需求。维系高反向电压，这些半导体器件还可知足今世编造安排的另一项央求。借帮TM芯片本事，转换器的安排能够变得更有用率，单个逆变器的额定功率得以进一步普及，从而下降整个编造本钱。

　　装备铜基板和螺纹接口，该封装拥有高鲁棒性的死板安排，可普及编造可用性、下降供职本钱和节减停机失掉。通过壮健的热轮回本事和150°C的一口吻运转结温（Tvjop）告竣增色的牢靠性。其对称的内部封装安排使得上下开闭拥有一致的开闭条款。能够选装预涂热界面资料（TIM），进一步普及模块的热机能。

　　采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供拔取开运电竞。2000V产物组合将蕴涵4mΩ/300A和3mΩ/400A两种型号。1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型号将于2024年一季度推出。它尚有专为神速特点评估（双脉冲/一口吻管事）安排的评估板可供拔取。为了便于操纵，该评估板还供应可活跃调解的栅极电压和栅极电阻，同时还可行为批量坐蓐驱动板的参考安排操纵。英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产物拼凑帮力达成更开运电竞高服从和功率密度